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【干货】LED封装器件芯片结温测试浅述(下):kok官方在线
发布:2024-05-03 06:16:02 浏览:
本文摘要:我们早已非常简单地讲解了LED结温的热瞬态测试方法,这种方法利用LED本身的热脆弱参数——电压变化来反算出温升至,从而获得工作状态下的结温。

我们早已非常简单地讲解了LED结温的热瞬态测试方法,这种方法利用LED本身的热脆弱参数——电压变化来反算出温升至,从而获得工作状态下的结温。那么我们除了测试的方法还有没其他方法可以告诉器件工作时候的结温呢?业界老手认同都告诉,结温只不过是可以算数出来的!不过在算数之前我们必需要告诉器件的热阻值(一般器件的规格书上都有冷阻值),然后在器件工作状态下用热电偶测量插槽温度或壳甘来求出结温。那么热阻是什么玩意呢,结温又是如何利用热阻和壳温计算出来获得呢?下面就为大家一一介绍。

一、什么是热阻?首先,为了让大家更容易解读,我们可以借出电学的概念,热阻的概念呢,就是通过转换电阻的概念而引伸出来的,两者性质的相近度十分低。电阻是指妨碍电流传导的物理量,那对应地,热阻就是妨碍热流传导的物理量,某种程度条件下热阻越大,热流越大不更容易通过。假如一个热源上相连有几个热阻值不大于的导电路径,那么热流的大小产于就像电流流到有所不同电阻时的产于一样,如图1右图。

电流(热流)分布图也就是说,如果在两个等温点之间不存在几个导电路径,其中有一个路径的热阻值十分大,而另一个路径上的热阻值十分小,那热量完全都会从热阻值十分小的那个路径通过,这是下文不会提到到的理论基础。接下来我们再行来看热阻的物理定义,所谓定义就是告诉他我们怎样可以求出热阻值。前面已提及,热阻的定义可转换于电阻,电阻是指导体两端的电压劣△U与通过导体的电流I的比值,那么,我们就可以很更容易地解读到热阻的定义了。热阻定义为:热流地下通道上跨越材料两端的温度差△T与流到该地下通道的导电功率P的比值。

用公式传达就是热身完,接下来请求大家走出JESD51-1标准里看半导体器件的热阻。1.1热阻结构半导体器件的热阻在JESD51-1标准里有详尽的定义,我们可以显现出(式2)只不过是(式1)的补足形式,用(式2)来分析如LED这种半导体器件的结构不会变得非常的直观和便利。LEDPCB结构截面图意欲2少见LED的PCB结构为事例,假设热源产生的热量从PN结仍然往下传导,途经芯片-固晶层—器件支架—导电膏—散热器为止,而且指出散热器与环境温度超过热平衡,那么如何告诉PN结到器件支架底部的精确热阻值呢?我们来讲解一种新的分析方法——结构函数法。1.2结构函数我们把需要叙述半导体器件内部材料的热阻热容结构的函数全称为结构函数。

在结构函数里每一种材料的热阻热容特性都能直观地表达出来,如图3右图,如阶梯一样,从左往右依序是芯片、固晶层、支架、导电膏、散热器。器件结构与结构函数提及这里,偷偷地请求各位读者再行温习下,上一篇文章我们提及,无论是二极管、三极管、场效应管还是IGBT,这些半导体器件的结保守热阻都可利用T3ster展开测量。而且经数学运算后还可以把热传导路径上的每层结构的热阻解析出来,找到风扇瓶颈。

这里所说的只不过就是结构函数的得意之处。假如某个器件内部的其中一层的材料(例如固晶层)经常出现了问题,在结构函数函数里就可以显著地回应出来,如图4右图。固晶出现异常在结构函数里的区分(实线为固晶长时间样品,虚线为固晶出现异常样品)固晶出现异常展现出为固晶层的热阻减小,于是坐落于固晶下方的结构都旋转到长时间样品曲线的右边。

通过结构函数我们不必须把样品毁坏就能把器件内部肉眼看到的出现异常给揪出来,就像X-ray一样!有了结构函数,不管你是想要告诉哪一个界面到哪一个界面的热阻,我们都可以一层一层地区分出来,前面提及的想要告诉PN结到器件支架底部的热阻值堪称不在话下。好,我们通过结构函数获得了我们想要告诉的PN结到器件支架底部的热阻(称作),一般器件的规格书上得出的器件热阻值严苛意义上就是这个。现在我们来问文初提及的问题:怎么利用这个热阻值求出结温。


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